DDR2時(shí)鐘測(cè)試,數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試,DDR2控制信號(hào)測(cè)試,高速信號(hào)穩(wěn)定性測(cè)試


自動(dòng)刷新是指控制器必須參與發(fā)起每一個(gè)自動(dòng)刷新請(qǐng)求。適合正常工作的時(shí)候，由控制器來主導(dǎo)刷新操作。
自刷新是指控制器只發(fā)起刷新開始和結(jié)束兩個(gè)請(qǐng)求。適合休眠，DRAM顆粒自己負(fù)責(zé)刷新操作。
自動(dòng)刷新和自刷新，接口指令是類似的，除了CKE為低表明自刷新開始。
預(yù)充電和刷新，都是為了保持電荷存儲(chǔ)，做出的電路重寫動(dòng)作。
預(yù)充電是針對(duì)一個(gè)bank或者所有bank的一行的操作；是伴隨讀寫命令操作之后執(zhí)行的。
刷新是對(duì)所有bank的所有行操作。
DDR 擾碼：obfuscation Scamble.
意義是對(duì)DDR數(shù)據(jù)進(jìn)行加密。
一個(gè)實(shí)踐的方法是芯片TRNG產(chǎn)生偽隨機(jī)數(shù)，跟真實(shí)數(shù)據(jù)XOR實(shí)現(xiàn)。


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